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介绍提高功率密度与开关电源设计效率的中等电压PowerTrench MOSF
来源:开关电源  时间:2015-09-26 09:30 浏览:

    中等电压MOSFET器件采用高性能硅片减低品质因数,提高同步整流应用的可靠性

   
提升功率密度和轻载效率是服务器、电信和AC-DC电源设计人员的主要考虑问题。此外,这些开关电源(SMPS)设计中的同步整流需要具有高性价比的电源解决方案,以便最大限度地减小线路板空间,同时提高效率和降低功耗。有鉴于此,
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)扩展PowerTrench MOSFET系列来帮助设计人员应对电源设计挑战。

   
这些产品属于中等电压MOSFET产品系列成员,是结合低栅极电荷(QG)、低反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复体二极管的优化功率开关产品,可以实现快速开关。这些器件备有40V60V80V额定电压型款,由于采用优化的软反向恢复体二极管,减少了缓冲器电路的功耗,与竞争解决方案相比,可将电压尖刺减少多达15%

   
这些器件采用具有电荷平衡功能的屏蔽栅极结构,从而达到较高的功率密度、较低的振铃和更好的轻载效率。通过使用这项技术,新器件获得了较低的品质因数(QG × RDS(ON)),同时降低驱动损耗来提高功率效率。

   
这一系列的首批器件包括采用Power56封装的40V FDMS015N04B80V FDMS039N08B器件,以及采用TO-220 3引脚封装的60V FDP020N06B80V FDP027N08B器件。

2012-8-16 18:29:55 上传

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中等电压MOSFET器件采用高性能硅片减低品质因数,提高同步整流应用的可靠性


   
特性和优势

    • 
较小的封装尺寸(Power56TO-220 3引脚封装),具有最大的热性能/系统尺寸比
    • 
较低的QG以降低栅极驱动损耗
    • 
QGD/QGS比,防止不必要的误导通,提高系统可靠性
    • 
低动态寄生电容,减少高频应用的栅极驱动损耗
    • 100% UIL
测试
    • 
满足RoHS要求

   
新增的PowerTrench MOSFET器件丰富了飞兆半导体中等电压范围MOSFET产品阵容,作为齐全的PowerTrench技术产品系列的一部分,它能够满足现今电子产品的电气和散热性能要求,在实现更高能效水平方面发挥重要的作用。

 

 

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